DRV5055 Ratiometric-Linear-Hall Effect Sensor

Abb. 1: [ 31.03.2025]

Autoren: Marc Ebmeyer

Einleitung

Bei dem auf der Platine verlöteten Chip handelt es sich um den DRV5055Z3QDBZR von Texas Instrument einen radiometrischen linearen Hall-Effekt Sensor zur Messung von magnetischen B-Feldern.

Technische Übersicht

Eigenschaft	Daten
Spannungsversorgung	3,3-5 V
magnetische Empfindlichkeit bei	25 mV/mT, +-85 mT Bereich
Bandweite	20 kHz

Pinbelegung

Pin	Belegung	Signal
1	NC
2	Gnd	0 V
3	NC
4	NC
5	NC
6	NC
7	NC
8	V_CC	3,3 - 5 V
9	NC
10	V_out

Prinzipienerklärung

Die Ausgangsspannung variiert mit dem gemessenen B-Feld. Dabei beträgt der Offset, die halbe Betriebsspannung $V_{CC}$. Das bedeutet, dass wenn der Sensor vollständig abgeschirmt wird, z.b. durch ein dickes weich Blechgehäuse, das am Ausgang bei 5 V Betriebsspannung $V_{CC}$ eine Ausgangsspannung $V_{out}$ von 2,5 V nach GND anliegen. Das B-Feld errechnet sich bei diesem Sensor über folgende Formel:

$B(mT)=\frac{2V_{out}-V_{CC}}{\frac{50mV}{mT}}$

Flussrichtung für positiven magnetischen Fluss B beim DRV5055

Kennlinie vom DRV5055

Richtig und falsche magnetische Annäherung beim DRV5055

Sensorposition des DRV5055

Sensorposition des DRV5055

Hardwareaufbau

Der Chip muss nur wie in der Tabelle oben angegeben mit 5V versorgt werden, und kann dann aus gelesen werden. Die im Datenblatt angegebenen zu verbauenden Kondensatoren sind schon auf der Platine verlötet.

Datenblätter

• Datenblatt DRV5055Z3QDBZR Texas Instruments

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