DRV5055 Ratiometric-Linear-Hall Effect Sensor

Abb. 1: [ 31.03.2025]

Autoren: Marc Ebmeyer

Einleitung

Bei dem auf der Platine verlöteten Chip handelt es sich um den DRV5055Z3QDBZR von Texas Instrument einen radiometrischen linearen Hall-Effekt Sensor zur Messung von magnetischen B-Feldern.

Technische Übersicht

Eigenschaft	Daten
Spannungsversorgung	3,3-5 V
magnetische Empfindlichkeit bei	25 mV/mT, +-85 mT Bereich
Bandweite	20 kHz

Pinbelegung

Pin	Belegung	Signal
1	NC
2	Gnd	0 V
3	NC
4	NC
5	NC
6	NC
7	NC
8	V_CC	3,3 - 5 V
9	NC
10	V_out

Prinzipienerklärung

Die Ausgangsspannung variiert mit dem gemessenen B-Feld. Dabei beträgt der Offset, die halbe Betriebsspannung $V_{CC}$. Das bedeutet, dass wenn der Sensor vollständig abgeschirmt wird, z.b. durch ein dickes weich Blechgehäuse, das am Ausgang bei 5 V Betriebsspannung $V_{CC}$ eine Ausgangsspannung $V_{out}$ von 2,5 V nach GND anliegen. Das B-Feld errechnet sich bei diesem Sensor über folgende Formel:

$B(mT)=\frac{2V_{out}-V_{CC}}{\frac{50mV}{mT}}$

Flussrichtung für positiven magnetischen Fluss B beim DRV5055

Kennlinie vom DRV5055

Richtig und falsche magnetische Annäherung beim DRV5055

Sensorposition des DRV5055

Sensorposition des DRV5055

Datenblätter

• Datenblatt DRV5055Z3QDBZR Texas Instruments

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