DRV5055 Ratiometric-Linear-Hall Effect Sensor: Unterschied zwischen den Versionen

Aus HSHL Mechatronik
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Version vom 4. Juli 2025, 18:00 Uhr

Datei:Jpg
Abb. 1: [ 31.03.2025]

Autoren: Marc Ebmeyer

Einleitung

Technische Übersicht

Eigenschaft Daten
Spannungsversorgung
 3,3-5 V
magnetische Empfindlichkeit bei
25 mV/mT, +-85 mT Bereich
Bandweite
 20 kHz

Pinbelegung

Pin Belegung Signal
1 NC
2 Gnd 0 V
3 NC
4 NC
5 NC
6 NC
7 NC
8 V_CC 3,3 - 5 V
9 NC
10 V_out

Prinziperklärung

Flussrichtung für positiven magnetischen Fluss B beim DRV5055
Kennlinie vom DRV5055
Richtig und falsche magnetische Annäherung beim DRV5055
Sensorposition des DRV5055
Sensorposition des DRV5055

Hardwareaufbau

Datenblätter

Literatur

  • [ Elektretmikrofon Wikipedia]

Weiterführende Artikel

→ zurück zum Hauptartikel: HSHL-Mechatronik-Baukasten

Abgerufen von „https://wiki.hshl.de/wiki/index.php?title=DRV5055_Ratiometric-Linear-Hall_Effect_Sensor&oldid=136829“