DRV5055 Ratiometric-Linear-Hall Effect Sensor: Unterschied zwischen den Versionen

Aus HSHL Mechatronik
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| 1 || Ausgangssignal Out||
| 1 || NC ||
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| 2 || GND (Masse) ||  0 V
| 2 || ||  0 V
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| 3 || NC || 2,4 - 5 V
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| 4 || NC ||
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| 5 || NC ||  0 V
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| 6 || NC  || 2,4 - 5 V
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| 7 || NC ||
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| 8 || ||  0 V
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| 9 || NC  || 2,4 - 5 V
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| 10 || ||
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| 3 || Betriebsspannung Vcc || 2,4 - 5 V
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|}


Version vom 4. Juli 2025, 17:51 Uhr

Datei:Jpg
Abb. 1: [ 31.03.2025]

Autoren: Marc Ebmeyer

Einleitung

Technische Übersicht

Eigenschaft Daten
Spannungsversorgung
 3,3-5 V
magnetische Empfindlichkeit bei
25 mV/mT, +-85 mT Bereich
Bandweite
 20 kHz

Pinbelegung

Pin Belegung Signal
1 NC
2 0 V
3 NC 2,4 - 5 V
4 NC
5 NC 0 V
6 NC 2,4 - 5 V
7 NC
8 0 V
9 NC 2,4 - 5 V
10

Prinziperklärung

Flussrichtung für positiven magnetischen Fluss B beim DRV5055
Kennlinie vom DRV5055
Richtig und falsche magnetische Annäherung beim DRV5055
Sensorposition des DRV5055
Sensorposition des DRV5055

Hardwareaufbau

Datenblätter

Literatur

  • [ Elektretmikrofon Wikipedia]

Weiterführende Artikel

→ zurück zum Hauptartikel: HSHL-Mechatronik-Baukasten

Abgerufen von „https://wiki.hshl.de/wiki/index.php?title=DRV5055_Ratiometric-Linear-Hall_Effect_Sensor&oldid=136827“