DRV5055 Ratiometric-Linear-Hall Effect Sensor: Unterschied zwischen den Versionen
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| magnetische Empfindlichkeit <br/> || 25 mV/mT +-85 mT<br/> | | magnetische Empfindlichkeit bei <br/5 V > || 25 mV/mT, +-85 mT Bereich<br/> | ||
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Version vom 4. Juli 2025, 17:18 Uhr
Autoren: Marc Ebmeyer
Einleitung
Technische Übersicht
| Eigenschaft | Daten |
|---|---|
| Spannungsversorgung |
3,3-5 V |
| magnetische Empfindlichkeit bei |
25 mV/mT, +-85 mT Bereich |
| Bandweite |
20 kHz |
Pinbelegung
| Pin | Belegung | Signal |
|---|---|---|
| 1 | Ausgangssignal Out | |
| 2 | GND (Masse) | 0 V |
| 3 | Betriebsspannung Vcc | 2,4 - 5 V |
Prinziperklärung
Hardwareaufbau
Datenblätter
- Datenblatt Drv5055 Texas Instruments
- [[:Datei: | Datenblatt ]]
Literatur
- [ Elektretmikrofon Wikipedia]
Weiterführende Artikel
→ zurück zum Hauptartikel: HSHL-Mechatronik-Baukasten